高深寬比多成份低溫原子層沉積技術低溫原子層沉積技術，提升半導體製程效能，擴大臺灣設備自主化創新優勢。
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環境(E)
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社會(S) |
經濟(E) |
| 新穎低溫沉積鍍膜技術以提升元件應用性能，並降低能源的消耗 |
強化我國半導體製造設備國際競爭力，創造設備高附加價值與就業機會 |
建立關鍵模組供應鏈，促進國內半導體設備產業升級而自主化，帶動我國半導體鍍膜設備產值成長 |
| 解決方案 |
透過開發高深寬比、多成分低溫原子層沉積技術，針對半導體元件製程需求優化，進行立體均勻薄膜的披覆沉積。另結合ICP精密電漿源與高速薄膜厚度量測技術，以提升ALD技術的鍍膜均勻性與品質，進而支援下一代高速、高性能3D半導體元件的製程需求。 |
| 科技應用 |
+ 首創高深寬比雙向流技術，滿足半導體元件之3D高深寬比結構、多成份控制、原子層等精密鍍膜需求。
+ 完成記憶體元件開發驗證，展現良好Set/Reset記憶體操作特性，符合計畫目標。
+ 獨創複合式多合一（All-in-one）鍍膜系統，減少傳輸與污染，提升鍍膜品質與產能。
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| 成果展示 |
+ 突破國際（AMAT、ASM）專利封鎖，引領國內創新研發，為次世代半導體ALD鍍膜設備供應鏈提供有力支援（佔國際設備市場約10%）。
+ 榮獲2023全球百大科技研發獎（R&D100 Awards）、 2024法人科專有感科技獎、產業技術創新獎、TIE最佳展示獎。技轉國內設備專業廠商旭宇騰共同合作生產，將導入半導體製造廠應用。
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